一、核心結構設計

1. 獨立同軸屏蔽結構：采用 4 路完全獨立的同軸傳輸通道，每路均包含中心導體、絕緣介質與外屏蔽層，實現信號間零串擾與外部電磁干擾高隔離度，特別適合微弱信號與高頻信號同步傳輸。

2. 氣密封裝工藝：采用陶瓷 - 金屬釬焊（ハーメチックシール） 技術，將同軸組件與法蘭基座實現原子級密封，確保真空側與大氣側絕對隔離，符合超高真空密封標準。

3. 標準化接口配置：

• 大氣側：可選配 BNC、SHV、MHV、N 型、SMA 等標準同軸連接器，適配通用測試儀器與傳輸線纜

• 真空側：采用可焊接光桿或定制端子，便于真空腔體內布線與設備連接

• 安裝法蘭：兼容 ICF（ADVANTEC 標準超高真空法蘭）、NW（KF）、ISO 等主流真空法蘭規格，適配不同真空系統

二、電氣性能參數

1. 額定電流與電壓：

• 標準型（如 BNC/SMA 接口）：每路額定電流3A，額定耐電壓1KV DC

• 高壓型（如 5KV-BNC/SHV 接口）：每路額定電流3-10A，額定耐電壓5-6KV DC

• 阻抗匹配：標準配置為50Ω，適配射頻與微波信號傳輸需求

2. 信號傳輸特性：

• 頻率響應：覆蓋 DC 至 GHz 級，適配直流、低頻控制信號與射頻信號傳輸

• 插入損耗：在工作頻率范圍內保持低損耗特性，確保信號完整性

• 屏蔽效能：外導體與法蘭良好接地，屏蔽效能≥90dB，有效抑制電磁干擾

3. 絕緣性能：

• 絕緣電阻：≥1012Ω（常溫），確保信號傳輸無泄漏

• 爬電距離：通過絕緣介質結構優化，滿足高壓工況下的絕緣要求

三、真空性能指標

1. 極限真空適配：支持1×10?1?Pa（1×10?12Torr） 超高真空環境，適配分子束外延、真空鍍膜等尖端真空工藝

2. 漏氣率：≤1×10?1?Pa·m3/s，達到超高真空密封等級，確保真空系統長期穩定運行

3. 溫度適應范圍：

• 常規工作溫度：-200℃~+450℃，適配真空腔體烘烤與低溫實驗工況

• 焊接耐受溫度：支持真空腔體焊接安裝，焊接溫度可達800℃（短時）

四、機械特性與安裝適配

1. 法蘭規格兼容性：

• ICF 系列：ICF34、ICF70、ICF114、ICF152、ICF203、ICF253 等全規格適配

• NW 系列：NW10、NW16、NW25、NW40、NW50 等通用真空法蘭

• 定制適配：支持 VGVF、ISO 等特殊法蘭及非標準尺寸定制

2. 安裝方式：

• 法蘭螺栓固定：標準真空法蘭密封，配備金屬密封圈（銅或不銹鋼）

• 焊接安裝：支持氬弧冷焊或激光焊接，適配特殊真空腔體結構

• 多單元組合：可在同一法蘭上安裝多個 4PIN 同軸饋通，實現高密度信號傳輸

3. 機械強度：

• 中心導體抗彎強度：≥5N，耐受真空腔體內布線與設備連接時的輕微機械應力

• 連接器插拔壽命：≥500 次，滿足頻繁連接測試需求

五、材料選擇與表面處理

1. 核心材料配置：

• 中心導體：銅合金（CU） 或不銹鋼（SUS），銅合金具備更低的接觸電阻（≤3mΩ），不銹鋼適合耐腐蝕工況

• 絕緣介質：氧化鋁陶瓷（Al?O?），具備高絕緣強度、耐高溫與耐化學腐蝕特性，適配惡劣真空環境

• 法蘭基座：SUS304/SUS316L 不銹鋼，具備優良的耐腐蝕性與真空兼容性，可選鋁合金輕量化設計

• 密封圈：無氧銅（OFHC） 或金屬石墨復合密封圈，適配超高真空與高溫烘烤工況

2. 表面處理：

• 中心導體：鍍金處理，降低接觸電阻，提高抗氧化能力

• 法蘭表面：電解拋光或鈍化處理，減少氣體吸附，提升真空系統抽氣效率

六、應用場景與適配優勢

1. 典型應用領域：

• 半導體制造：等離子體刻蝕、物理氣相沉積（PVD）、化學氣相沉積（CVD）設備的電極供電與信號控制

• 真空科研：粒子加速器、核聚變裝置、真空光譜儀的信號傳輸與測量

• 電子元器件：真空濺射、電子束蒸發設備的多路電源與控制信號導入

2. 核心適配優勢：

• 多路獨立傳輸：4 路同軸通道可同時傳輸不同類型信號（如 2 路控制信號 + 2 路射頻信號），提高系統集成度

• 信號完整性保障：同軸結構有效抑制信號衰減與畸變，特別適合高精度測量與控制場景

• 長期穩定性：陶瓷 - 金屬密封結構確保在高溫、高壓、高真空環境下長期穩定運行，維護周期長

• 定制化能力：支持接口類型、法蘭規格、端子長度等全維度定制，適配特殊真空設備需求